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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A250FW-GE3
Vishay
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1 | N-Channel 1200 V 10.5A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-247-3L | Other | MXP120A250FW-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A250FL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A250FL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045SL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | MXP120A045SL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A080FW-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A080FW-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A250FW-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1200V, 0.359ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | MXP120A250FW-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A250FE-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | MXP120A250FE-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045FW-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | MXP120A045FW-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A080FE-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | MXP120A080FE-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045SW-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | MXP120A045SW-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A250FL-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 1200V, 0.359ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | MXP120A250FL-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A080FW-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A080FW-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045FL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A045FL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045SE-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | MXP120A045SE-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045FW-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A045FW-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045FE-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-263 | MXP120A045FE-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A045FL-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | MXP120A045FL-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A080FL-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | MXP120A080FL-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MXP120A080FL-Y-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.124ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | MXP120A080FL-Y-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250MXP1200MD50
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF, Through Hole Mount | 250MXP1200MD50 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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160MXP1200MD35
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF, Through Hole Mount | 160MXP1200MD35 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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160MXP1201C
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF | 160MXP1201C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DP3S512X32MXP-12CI
B&B Electronics Manufacturing Company
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1 | SRAM Module, 2MX8, 12ns, CMOS | DP3S512X32MXP-12CI |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250MXP1201A
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF | 250MXP1201A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250MXP1201B
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF | 250MXP1201B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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200MXP1201C
Rubycon Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF | 200MXP1201C |
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