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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCE80TD65BT
NCEPower
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1 | 650V, 80A, Trench FS II Fast IGBT | Transistor Outline, Vertical | NCE80TD65BT |
2
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NCE80H11D
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | NCE80H11D is an N-Channel MOSFET in TO-263 package with 80 V drain-source voltage, 0.0065 ohm on-resistance at 10 V gate voltage, 120 A continuous drain current, and 53.5 nC total gate charge. | NCE80H11D |
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NCE80T420
NCEPOWER
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1 | NCE80T420, N-channel super junction power MOSFET with 800 V drain-source voltage, 420 mΩ maximum on-resistance, 11 A continuous drain current, and low gate charge, suitable for high-voltage switching applications. | NCE80T420 |
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NCE80T560D
NCEPOWER
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1 | NCE80T560D, NCE80T560, NCE80T560F are 800V N-channel super junction power MOSFETs with typical RDS(ON) of 480 mΩ, low gate charge, and designed for high-voltage applications like PFC and SMPS. | NCE80T560D |
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NCE80T560
NCEPOWER
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1 | NCE80T560D, NCE80T560, NCE80T560F are 800V super junction power MOSFETs with 480 mΩ typical RDS(ON), 9A continuous drain current, low gate charge, and TO-263/TO-220/TO-220F packages. | NCE80T560 |
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NCE80T560F
NCEPOWER
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1 | NCE80T560D, NCE80T560, NCE80T560F are 800V super junction power MOSFETs with 480 mΩ typical RDS(ON), 9A continuous drain current, low gate charge, and TO-263/TO-220 package options. | NCE80T560F |
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NCE80T320F
NCEPOWER
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1 | NCE80T320D, NCE80T320, NCE80T320F are 800V N-channel super junction power MOSFETs with 260 mΩ typical RDS(ON), available in TO-263, TO-220, and TO-220F packages, designed for high-efficiency power conversion applications. | NCE80T320F |
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NCE80T420F
NCEPOWER
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1 | NCE80T420, NCE80T420F are 800V N-channel super junction power MOSFETs in TO-220 packages, featuring 420 mΩ max RDS(ON), 11A continuous drain current, low gate charge, and avalanche capability. | NCE80T420F |
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NCE80T320
NCEPOWER
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1 | NCE80T320D, NCE80T320, NCE80T320F are 800V N-channel super junction power MOSFETs with 260 mΩ typical RDS(ON), available in TO-263, TO-220, and TO-220F packages, designed for high-efficiency power conversion applications. | NCE80T320 |
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NCE80TD60BP
NCEPOWER
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1 | 600V, 80A Trench FSII Fast IGBT with low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution in a TO-3P package. | NCE80TD60BP |
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NCE80TD65BP
NCEPOWER
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1 | 650V, 80A Trench FSII Fast IGBT with low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution, suitable for air conditioning, inverters, and motor drives. | NCE80TD65BP |
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NCE80T320D
NCEPOWER
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1 | 800 V N-channel super junction power MOSFET with 260 mΩ typical RDS(ON) at 10 V VGS, 17 A continuous drain current, low gate charge, and TO-263, TO-220, or TO-220F package options. | NCE80T320D |
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NCE80TD65BT
NCEPOWER
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1 | 650V, 80A Trench FSII Fast IGBT in TO-247 package featuring low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution for use in inverters, motor drives, and air conditioning systems. | NCE80TD65BT |
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NCE80TD65BT4
NCEPOWER
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1 | 650V, 80A Trench FSII Fast IGBT in TO-247-4L package with low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution for motor drives, inverters, and air conditioning systems. | NCE80TD65BT4 |
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NCE80TD60BT
NCEPOWER
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1 | 600V, 80A Trench FSII Fast IGBT with low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution in a TO-247 package. | NCE80TD60BT |
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NCE80TC65BT
NCEPOWER
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1 | 650V, 80A Trench FSII Fast IGBT with low VCE(sat), high-speed switching, positive temperature coefficient, and tight parameter distribution in a TO-247 package. | NCE80TC65BT |
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AE-A3A3SNCE-80.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | CMOS Output Clock Oscillator | AE-A3A3SNCE-80.0MHZ |
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S1-BD3NCE-8.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 8MHz Nom | S1-BD3NCE-8.0MHZ |
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S1-CD3NCE-8.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 8MHz Nom | S1-CD3NCE-8.0MHZ |
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AE-03A3SNCE-80.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | Sine Output Oscillator | AE-03A3SNCE-80.0MHZ |
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SD-A2D7ANCE-800.000MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | LVDS Output Clock Oscillator, 800MHz Nom | SD-A2D7ANCE-800.000MHZ |
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AE-03A3CNCE-80.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | Sine Output Oscillator | AE-03A3CNCE-80.0MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AE-A3A3CNCE-80.0MHZ
NEL Frequency Controls Inc
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1 | CMOS Output Clock Oscillator | AE-A3A3CNCE-80.0MHZ |
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