Showing 25 of 71 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AEL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410AEL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AEL/L86Z
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AEL/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410BE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410AE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410AL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AE
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AL/L86Z
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AL/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BEL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410BEL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410B/L86Z
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410B/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AE/L86Z
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AE/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BE/L86Z
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BE/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BL/L86Z
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BL/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410A
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BEL/L86Z
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BEL/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AEL
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410B
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410BL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BEL
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB4116
Nichia Corporation
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1 | Laser Diode, 445nm | NDB4116 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410A/L86Z
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410A/L86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NDB410B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BL
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410BE
Texas Instruments
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410BE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDB410AL
Texas Instruments
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1 | 8A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | NDB410AL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||