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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L
onsemi
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1 | High power and current handling capability in a widely used surface mount package.; 4 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 4.5 V. ; Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers. VGS(TH) < 2V. ; High density cell design for extremely low RDS(ON). | SOT223 (3-Pin) | NDT3055L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L
Texas Instruments
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1 | 3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT3055L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L
Rochester Electronics LLC
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1 | 4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | NDT3055L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT3055L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L/J23Z
Texas Instruments
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055L/J23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L/S62Z
Texas Instruments
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1 | 3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT3055L/S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LTNR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LTNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L/D84Z
Texas Instruments
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1 | 3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT3055L/D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L/L99Z
Texas Instruments
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1 | 3.7A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT3055L/L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055L84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055L_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LTNR_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LTNR_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LS62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LL84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055LL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT3055LL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT3055/L99Z
Texas Instruments
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1 | 4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT3055/L99Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHNDT3055L
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHNDT3055L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||