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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT410ELS62Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410ELD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410EL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT410EL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL/S62Z
Texas Instruments
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1 | 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT410EL/S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL
Texas Instruments
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1 | 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT410EL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELJ23Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410ELJ23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL/L99Z
Texas Instruments
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1 | 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT410EL/L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL/J23Z
Texas Instruments
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410EL/J23Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410EL/D84Z
Texas Instruments
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1 | 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 | NDT410EL/D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELL84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410ELL84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261 | NDT410ELL99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NDT410ELJ23ZD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NDT410ELJ23ZD84Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FHNDT410EL
Fenghua (HK) Electronics Ltd
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1 | Transistor | FHNDT410EL |
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