Showing 25 of 145 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NE856
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, DIE | NE856 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85633-T1B-A
Renesas Electronics
|
1 | NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold | SOT23 (3-Pin) | NE85633-T1B-A |
3
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85633-R24-A
Renesas Electronics
|
1 | NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for Microwave Low-Noise Amplification 3-pin Minimold | SOT23 (3-Pin) | NE85633-R24-A |
3
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85630-T1-A
CEL
|
1 | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency | SOT23 (3-Pin) | NE85630-T1-A |
2
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M13
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M13, 3 PIN | NE856M13 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M03
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | NE856M03 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M13
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, M13, 3 PIN | NE856M13 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M02
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M02, 6 PIN | NE856M02 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M02-T1
Renesas Electronics Corporation
|
1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | NE856M02-T1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M23
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC, M23, 3 PIN | NE856M23 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M02-T1
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | NE856M02-T1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE856M23
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, CERAMIC, M23, 3 PIN | NE856M23 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85634-T1
NEC Corp
|
1 | Transistor | NE85634-T1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85635-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, MICRO-X, 4 PIN | NE85635-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85639R-T2
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NE85639R-T2 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85633-T1B-A
CEL
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, MINIMOLD PACKAGE-3 | NE85633-T1B-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85639
NEC Electronics America Inc
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 39, 4 PIN | NE85639 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85634-T1-A
NEC Corp
|
1 | Transistor | NE85634-T1-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85633-T1
California Eastern Laboratories (CEL)
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NE85633-T1 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85635
Advanced Semiconductor Inc
|
0 | Transistor | NE85635 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85633-T1B
NEC Corp
|
1 | Transistor | NE85633-T1B |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85630-T1-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | NE85630-T1-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85619-T1-A
NEC Corp
|
1 | Transistor | NE85619-T1-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85639-T1-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, PLASTIC, 39, 4 PIN | NE85639-T1-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NE85600-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, LEAD FREE, DIE-2 | NE85600-A |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||