Showing 25 of 153 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NOSA106M008R2200
Kyocera AVX
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1 | Niobium Oxide Capacitors 8volts 10uF 20% 2200mOhms | Capacitor Moulded Polarised | NOSA106M008R2200 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NOSA106M006R0800
Kyocera AVX
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1 | OxiCap | Capacitor Moulded Polarised | NOSA106M006R0800 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NOSA106M006R2000
Kyocera AVX
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1 | NOS,Niobium Oxide,SMT,Case A,6.3V,10uF AVX 10uF /-20% 6.3 V dc SMD Niobium Capacitor, 3216-18 Package, ESR 2Ohm | Capacitor Moulded Polarised | NOSA106M006R2000 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ200R65KF1NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel | FZ200R65KF1NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6PS04512E43W39693NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | 6PS04512E43W39693NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD600S17K3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 1700V V(RRM), Silicon | DD600S17K3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ3600R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 4800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ3600R17KE3B2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD600S65K1NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 6300V V(RRM), Silicon | DD600S65K1NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ750R65KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FZ750R65KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS300R16KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel | FS300R16KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS75R12KE3B3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FS75R12KE3B3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FF1200R17KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD200S33K2CNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 200A, 3300V V(RRM), Silicon | DD200S33K2CNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6MS16017P43W40383NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | 6MS16017P43W40383NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF600R16KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel | FF600R16KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD800S17K6CB2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 800A, 1700V V(RRM), Silicon | DD800S17K6CB2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ2400R12KE3B9NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FZ2400R12KE3B9NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ600R65KF2NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6300V V(BR)CES, N-Channel | FZ600R65KF2NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD500R65KE3TKNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel | FD500R65KE3TKNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FZ1200R17KE3NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FZ1200R17KE3NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6MS16017P43W40382NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel | 6MS16017P43W40382NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD1200R17KE3KNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | FD1200R17KE3KNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DD600S16K4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 600A, 1600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | DD600S16K4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FF800R12KF4NOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | FF800R12KF4NOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FD400R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 660A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel | FD400R33KF2CKNOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||