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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUJ-E1B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N055PUK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N055PUJ-E2B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUJ-E2B-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N055PUJ-E2B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N04PUK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUJ-E2B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E1B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP109N04PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N055PUK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N04PUK-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUJ-E1B-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N055PUJ-E1B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E2B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP109N04PUJ-E2B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N055PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N055PUJ-E1B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SMA-A0102DTNP109R
TE Connectivity
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 109ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904 | SMA-A0102DTNP109R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCSRA0102DWNP1091
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 1090ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904 | HCSRA0102DWNP1091 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CSRA0102BMNP1091
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.2W, 1090ohm, 200V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904, MELF | CSRA0102BMNP1091 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HTAR05BTNP1092N
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 10900ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HTAR05BTNP1092N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CSRA0102CWNP1090
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.2W, 109ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904, MELF | CSRA0102CWNP1090 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CSRA0102DWNP1092
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.2W, 10900ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904, MELF | CSRA0102DWNP1092 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CSRV0102CMNP1092
Viking Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.2W, 10900ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0904, MELF | CSRV0102CMNP1092 |
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