Showing 25 of 6814 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N03PUG-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PDG-E2-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1102AM
Xiamen Wanming Electronics Co Ltd
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 100V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF | NP1102AM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUJ-E2B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP110N055PUJ-E2B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUJ-E2B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP110N04PUJ-E2B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUG-E2-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SBT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, DO-214AA | NP1100SBT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SAMCT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, 20A, DO-214AA | NP1100SAMCT3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1101TM
Xiamen Wanming Electronics Co Ltd
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF | NP1101TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUG-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUG-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP1100SBMCT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, 30A, DO-214AA | NP1100SBMCT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N055PUG-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUK-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PDG-E1-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N055PUG-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N055PUG-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PUJ-E2B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N04PUK-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N03PUG-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP110N03PUG-E2-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP110N04PDG-E2-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP110N04PDG-E2-AZ |
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NP1100SAT3G
onsemi
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1 | Thyristor Surge Protector, 130V V(BO) Max, DO-214AA | NP1100SAT3G |
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