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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E2
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN | NP52N055SUG-E2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N06SLG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N06SLG-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E2-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E2-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E1-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP52N055SUG-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E1-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E1-AZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N06SLG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N06SLG-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E1
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN | NP52N055SUG-E1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG |
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NP52N055SUG-E2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N055SUG-E2-AZ |
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NP52N055SUG-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP52N055SUG-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N06SLG-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N06SLG-E2-AY |
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NP52N06SLG-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | NP52N06SLG-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP52N055SUG-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP52N055SUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP52N055SUG-E2-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NH-A8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V,17.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NH-A8T1U7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NA-A8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V,17.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NA-A8T1U7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NS-A8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NS-A8T1U7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NH-S8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V,17.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NH-S8T1U7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NS-S8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NS-S8T1U7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S-191NP52NA-S8T1U7
ABLIC Inc.
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1 | Window Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +5.2V,17.2V, CMOS, PDSO8 | S-191NP52NA-S8T1U7 |
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