Showing 25 of 42 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY340
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY340
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30728
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30728 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30824
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30824 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30940Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY30940Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY300Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY300Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY300
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY300 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30824
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30824 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30942
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30942 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30511
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30724Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY30724Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30724
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 700V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30724 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30940
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30940 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30511
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30942
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30942 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30828
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30828 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30509
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30509 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30613
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30616
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30616 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30728Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY30728Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30613Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY30613Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY31042
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY31042 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY300
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY300 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30828
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | NSFY30828 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSFY30616Z
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Transistor | NSFY30616Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||