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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE41
NTE Electronics Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon | NTE41 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4153NT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on) Improving System Efficiency; Low Threshold Voltage, 1.5V Rated; ESD Protected Gate | SO Transistor Flat Lead | NTE4153NT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4151PT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life; Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm); ESD Protected Gate; RoHS Compliant | SO Transistor Flat Lead | NTE4151PT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4151PT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 760mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 463C-01, SC-89, 3 PIN | NTE4151PT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4153NT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 915mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 463C-03, SC-89, 3 PIN | NTE4153NT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4164
NTE Electronics Inc
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1 | Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, NMOS, PDIP16 | NTE4164 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE412
NTE Electronics Inc
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1 | Heat Sink | NTE412 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4151PT1
onsemi
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1 | Transistor | NTE4151PT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTE4153NT1G
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 20 V MOSFET with 0.270 ohm RDS(on) at 4.5 V VGS, 1.4 nC gate charge, and 0.85 A continuous drain current, available in SC-75 package for use in DC/DC converters and load switches. | NTE4153NT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||