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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2102PT1
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.4A, 8V, 0.058ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MINIATURE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD2102PT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2110TT1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD2110TT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2102PT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 8V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD2102PT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2102PT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.4A, 8V, 0.058ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, MINIATURE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD2102PT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2110TT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 4500mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | NTHD2110TT1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTHD2102PT1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 8V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTHD2102PT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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