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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS025P04M8L
onsemi
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1 | MOSFET - Power, Single P-Channel -40 V, 25 m, -32 ANovember, 2021-Rev. 0 | Other | NVTYS025P04M8L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS008N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (3.3 x 3.3mm); Low RDS(on); Low Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | Other | NVTYS008N06CLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS004N04CLTWG
onsemi
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1 | Low Capacitance; Small Footprint (3.3 x 3.3mm); AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant; Low RDS(on) | Other | NVTYS004N04CLTWG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS025P04M8LTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (3.3 x 3.3mm); Low RDS(on); Low Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVTYS025P04M8LTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS006N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS006N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS9D6P04M8LTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 40V, 0.0096ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS9D6P04M8LTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS004N03CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS004N03CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS014P04M8LTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 40V, 0.0135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS014P04M8LTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS027N10MCLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS027N10MCLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS025N06CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.82A I(D), 60V, 0.0425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS025N06CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS010N06CLTWG
onsemi
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1 | Small Footprint (3.3 x 3.3mm); Low RDS(on); Low Capacitance; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVTYS010N06CLTWG |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS020N08HLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.0211ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS020N08HLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS007N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS007N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS010N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS010N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS003N04CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 107A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS003N04CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS029N08HTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 80V, 0.0324ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS029N08HTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS002N03CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS002N03CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS013N10MCLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 100V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS013N10MCLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS020N08HLTAG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 80V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS020N08HLTAG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS007N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS007N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS004N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS004N04CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS026N06CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.82A I(D), 60V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS026N06CTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS006N06CLTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS006N06CLTWG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS010N04CLTWG
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Capacitance; Small Footprint (3.3 x 3.3mm); AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NVTYS010N04CLTWG |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NVTYS005N04CTWG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NVTYS005N04CTWG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||