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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB27NQ10T
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T |
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PHB27NQ10T/T3
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T/T3 |
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PHB27NQ10T,118
Nexperia
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1 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | PHB27NQ10T,118 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB27NQ10T/T3
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T/T3 |
0
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PHB27NQ10T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T |
0
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PHB27NQ10T,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T,118 |
0
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PHB27NQ10T
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB27NQ10T |
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