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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N40T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N40T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50E
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N40
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N40
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50E118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50E118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 4.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N40T/R
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N40T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50E
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N60E/T3
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N60E/T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHB2N50E/T3
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PHB2N50E/T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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