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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHU11NQ10T,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | PHU11NQ10T,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHU11NQ10T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | PHU11NQ10T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHU11NQ10T
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PHU11NQ10T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT1-2/1PP-HU(11)
Hirose Electric Co Ltd
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1 | Rectangular Connector | GT1-2/1PP-HU(11) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GT1-1/1PP-HU(11)
Hirose Electric Co Ltd
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1 | Rectangular Connector | GT1-1/1PP-HU(11) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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934056349127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 934056349127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||