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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50EPEA
NXP
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1 | -30V, -4.2A, 35mohm | SOT23 (3-Pin) | PMV50EPEA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50EPEAR
Nexperia
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1 | MOSFET PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/ | SOT23 (3-Pin) | PMV50EPEAR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XPR
Nexperia
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1 | NEXPERIA - PMV50XPR - MOSFET, P-CH, -20V, -3.6A, TO236AB-3 | SOT23 (3-Pin) | PMV50XPR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XPAR
Nexperia
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1 | PMV50XPA - 20 V, P-channel Trench MOSFET@en-us | SOT23 (3-Pin) | PMV50XPAR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XNEAR
Nexperia
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1 | MOSFET MOSFET | SOT23 (3-Pin) | PMV50XNEAR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50ENEA
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | PMV50ENEA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XPA
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | PMV50XPA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50ENEA
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | PMV50ENEA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50EPEA
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | PMV50EPEA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50UPEVL
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | PMV50UPEVL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XNEA
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | PMV50XNEA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XP
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | PMV50XP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50UPE
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | PMV50UPE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50UPE,215
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PMV50UPE,215 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50ENEAR
Nexperia
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1 | MOSFET PMV50ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/ | PMV50ENEAR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50UPE,215
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | PMV50UPE,215 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50XP
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236AB | PMV50XP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMV50UPE
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | PMV50UPE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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