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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3004D
VBsemi Elec
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1 | N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs TO252,30V ±20V | Other | QM3004D |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TQM300NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
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1 | MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET | Other | TQM300NB06DCR RLG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-HK
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin | QM300HA-HK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300DY-HB
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 15 Pin | QM300DY-HB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-H
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 1-Element, NPN, Silicon | QM300HA-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HC-M
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | QM300HC-M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-HB
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | QM300HA-HB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3003M3
UPI Semiconductor Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | QM3003M3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-2H
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | QM300HA-2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300DY-2H
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 15 Pin | QM300DY-2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3004M3
UPI Semiconductor Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | QM3004M3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-24
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin | QM300HA-24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3006M3
UPI Semiconductor Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | QM3006M3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-2HB
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin | QM300HA-2HB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3006D
UPI Semiconductor Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | QM3006D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300DY-2HB
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 15 Pin | QM300DY-2HB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300DY-24B
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 15 Pin | QM300DY-24B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM3004D
UPI Semiconductor Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | QM3004D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300DY-24
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 15 Pin | QM300DY-24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QM300HA-24B
Mitsubishi Electric
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1 | Power Bipolar Transistor, 300A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin | QM300HA-24B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM300JMI100R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 3W, 100ohm, 350V, 5% +/-Tol, -300,300ppm/Cel, 4732, | SQM300JMI100R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM300JBI30K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 3W, 30000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 300ppm/Cel, Through Hole Mount | SQM300JBI30K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM300JW-16R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 16ohm, 350V, 5% +/-Tol, 4732, | SQM300JW-16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM300JBI0R16
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 0.16ohm, 350V, 5% +/-Tol, 300ppm/Cel, Through Hole Mount | SQM300JBI0R16 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SQM300JBI180R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 180ohm, 350V, 5% +/-Tol, 300ppm/Cel, Through Hole Mount | SQM300JBI180R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||