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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10
Intersil Corporation
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1 | RF1S22N10 | RF1S22N10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S25N06SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S25N06SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S25N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | RF1S25N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RF1S23N06LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S23N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S25N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S25N06SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM96
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | RF1S23N06LESM96 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S25N06SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 25A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S25N06SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S25N06SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S23N06LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LESM9A
Intersil Corporation
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1 | 23A, 60V, 0.065ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S23N06LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RF1S22N10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S25N06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S25N06SM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S25N06SM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S23N06LE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S23N06LE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S22N10SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S22N10SM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||