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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF1S50N06LE
Intersil Corporation
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1 | RF1S50N06LE | RF1S50N06LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S530
Intersil Corporation
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1 | RF1S530 | RF1S530 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S530SM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB VARIANT, 3 PIN | RF1S530SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S540 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06LE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RF1S50N06LE |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S530SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S530SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06LESM
Intersil Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S50N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540SM
Intersil Corporation
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1 | 28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S540SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, | RF1S50N06SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S530SM9A
Intersil Corporation
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1 | 14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S530SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S540SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S50N06SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S50N06SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06LESM
Rochester Electronics LLC
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S50N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06
Intersil Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | RF1S50N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM
Intersil Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.022ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S50N06SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540
Intersil Corporation
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1 | 28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | RF1S540 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | RF1S50N06 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540SM9A
Intersil Corporation
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1 | 28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S540SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, | RF1S50N06LESM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, | RF1S50N06SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S540SM
Rochester Electronics LLC
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1 | 28A, 100V, 0.077ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | RF1S540SM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06SM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S50N06SM9A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S50N06LESM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, | RF1S50N06LESM |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF1S530SM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | RF1S530SM |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||