Showing 25 of 66 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD22301
RF Digital Wireless
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1 | Bluetooth / 802.15.1 Modules RFduino BLE 4.0 SMT Module | Other | RFD22301 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220PBF
Vishay
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1 | MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET HEXDI | Dual-In-Line Packages | IRFD220PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250RFD223JT
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 250V, 0.022uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 250RFD223JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD224
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD224K
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.22uF, SURFACE MOUNT, 4128, CHIP | 100RFD224K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD224PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.63A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD224PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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250RFD223J
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 250V, 0.022uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 250RFD223J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD223R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD223
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,700MA I(D),TO-250VAR | IRFD223 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222R
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,800MA I(D),TO-250 | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD222
Harris Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD220
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFD221
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFD221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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100RFD223K
Rubycon Corporation
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1 | CAPACITOR, METALLIZED FILM, POLYPHENYLENE SULPHIDE, 100V, 0.022uF, SURFACE MOUNT, 3122, CHIP | 100RFD223K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||