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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | RFD7N10LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD7N10LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM96
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM96 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LE
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD7N10LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM9A
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM9A
Rochester Electronics LLC
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, 3 PIN | RFD7N10LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM
Rochester Electronics LLC
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1 | 7A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | RFD7N10LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM9A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM9A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM9A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LESM
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | RFD7N10LESM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFD7N10LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | RFD7N10LE |
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