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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFE430G-AIW-DNS
RAYSTAR
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1 | Display: TFT; 4.3"; 480x272; Illumin: LED; Dim: 105.5x67.2x4.05mm | RFE430G-AIW-DNS |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430SCX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430SCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 500V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE430E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 500V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 500V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE430-JQR-B |
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IRFE430SCVPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE430SCVPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE430-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2.5A, 500V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE430-JQR-BE4 |
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