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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03L
Renesas Electronics
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1 | N-Channel 30 V 42A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | RFP42N03L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4242PBF
Infineon
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1 | IRFP4242PBF N-Channel MOSFET Transistor, 46 A, 300 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC International Rectifier | Transistor Outline, Vertical | IRFP4242PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4227PBF
Infineon
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1 | IRFP4227PBF N-Channel MOSFET, 65 A, 200 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon | Transistor Outline, Vertical | IRFP4227PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4229PBF
Infineon
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1 | Infineon IRFP4229PBF N-channel MOSFET, 44 A, 250 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC | Transistor Outline, Vertical | IRFP4229PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP42N03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03L
Rochester Electronics LLC
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1 | 42A, 30V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP42N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP42N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP42N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP42N03
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP42N03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4229PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP4229PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-4243
TTM Technologies
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1 | 90 Degree Hybrid Coupler, 120MHz Min, 230MHz Max, 0.3dB Insertion Loss-Max | RFP-4243 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4232PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.0357ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP4232PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4242PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 300V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP4242PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP421
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP421 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-4243
Anaren Microwave
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1 | 90 Degree Hybrid Coupler, 120MHz Min, 230MHz Max, 0.3dB Insertion Loss-Max | RFP-4243 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP423
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP423 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4228PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 150V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP4228PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP4227PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP4227PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP420
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP420 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP422
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP422 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||