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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRLP
Infineon
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1 | MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | Other | IRFS52N15DTRLP |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DPBF
Infineon
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1 | Infineon IRFS52N15DPBF N-channel MOSFET, 51 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK | Other | IRFS52N15DPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS520Q-EZH-DBN
RAYSTAR
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1 | Display: TFT; 5.2"; 480x128; Illumin: LED; Dim: 180x65x8.8mm; RGB | RFS520Q-EZH-DBN |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS520A-ALH-DNN
RAYSTAR
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1 | Display: TFT; 5.2"; 480x128; Illumin: LED; Dim: 140.4x49.87x3mm; RGB | RFS520A-ALH-DNN |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS522
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DHR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS52N15DTRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS520A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS520A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS520A
Rochester Electronics LLC
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1 | 7.2A, 100V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | IRFS520A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS520
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS520 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRRP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS52N15DTRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS523
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS523 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS521
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS521 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS520A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS520A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||