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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RF-U10
Cembre SPA
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1 | Fork Terminal, 1.5mm2 | RF-U10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFU10TF6S
ROHM Semiconductor
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1 | Diode Switching 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube -55to+150°C | Other | RFU10TF6S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFU10TF6SC9
ROHM Semiconductor
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1 | Super Fast Recovery Diode: ROHM's fast recovery diodes are ultra high-speed, low VF, and suited for significant efficiency increase of switching power supply as well as reduction of switching loss. | Transistor Outline, Vertical | RFU10TF6SC9 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFU10TF6SFH
ROHM Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | RFU10TF6SFH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFU10TF6SFHC9
ROHM Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | RFU10TF6SFHC9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1018EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1018EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1010ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1010ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1010ZPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1010ZPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1010Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1010Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU1018EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU1018EPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||