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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RHMB300C12
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | RHMB300C12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RHMB300T6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | RHMB300T6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300B12
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300B12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300A6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300A6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300E6C
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300E6C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300B12A
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300B12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300A6AC
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300A6AC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300B12A
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300B12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300E6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300A6A
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300A6A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300E6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300B12
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300B12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300W12
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | PRHMB300W12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300E6C
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300E6C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300A6C
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRHMB300A6C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRHMB300W6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | PRHMB300W6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMB3260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMB3260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||