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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics
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1 | The RJK2009DPM is a Nch Single Power Mosfet 200V 40A 36Mohm To-3Pfm. | Transistor Outline, Vertical | RJK2009DPM-00#T0 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2017DPP-M0#T2
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Transistor Outline, Vertical | RJK2017DPP-M0#T2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2062JPK-00#T0
Renesas Electronics Corporation
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1 | RJK2062JPK-00#T0 | RJK2062JPK-00#T0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPE-00#J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPE-00#J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2061JPE-00#J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | RJK2061JPE-00#J3 | RJK2061JPE-00#J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2075DPA-00#J5A
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | RJK2075DPA-00#J5A |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2054DPC-00#J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, LFPAK-i, /Tube | RJK2054DPC-00#J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPE
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2055DPA-00#J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Nch Single Power Mosfet 200V 20A 69Mohm Wpak, WPAK, /Embossed Tape | RJK2055DPA-00#J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2017DPP-00#T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, TO-220FN, /Tube | RJK2017DPP-00#T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2057DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2057DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2009DPM-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2009DPM-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPJ-TL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPJ-TL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2017DPP-00-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RJK2017DPP-00-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2061JPE-00-J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK2061JPE-00-J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2017DPE-00#J3
Renesas Electronics Corporation
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1 | N Channel Power MOSFET, LDPAK(S)-(1), /Embossed Tape | RJK2017DPE-00#J3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPF-TL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPF-TL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2055DPA-00-J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2055DPA-00-J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPF
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2057DPA-00#J0
Renesas Electronics Corporation
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1 | Nch Single Power Mosfet 200V 20A 85Mohm Wpak, WPAK, /Embossed Tape | RJK2057DPA-00#J0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPJ-00#T3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPJ-00#T3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2006DPE-TL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2006DPE-TL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2076DPA-00#J5A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RJK2076DPA-00#J5A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RJK2062JPK-00-T0
Renesas Electronics Corporation
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1 | POWER, FET | RJK2062JPK-00-T0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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