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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0009SXAQS
Renesas Electronics
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1 | Silicon N-Channel MOS FET | Other | RQA0009SXAQS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0005QXDQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0005QXDQSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0004LXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0004LXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0005QXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0005QXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0009SXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0009SXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0010VXDQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0010VXDQSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0004PXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0004PXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0010UXAQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0010UXAQSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0009TXDQS#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0009TXDQS#H1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0004PXDQS#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0004PXDQS#H1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0001DNSTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0001DNSTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0011DNS#G1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0011DNS#G1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0001TL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0001TL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0009TXDQS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0009TXDQS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0003DNSTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0003DNSTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0005MXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0005MXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0002DNSTB-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0002DNSTB-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0010VXDQS#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0010VXDQS#H1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0008NXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0008NXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0008RXDQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0008RXDQSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0005QXDQS#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0005QXDQS#H1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0009TXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0009TXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0008RXTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0008RXTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0011DNSTB-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0011DNSTB-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQA0005MXAQS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQA0005MXAQS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||