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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQATL-H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQATL-H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQS#H3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQS#H3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0601DGDQS#H3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0601DGDQS#H3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQATL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 0.854ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQATL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0603LGDQA#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0603LGDQA#H1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0603LGDQATL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0603LGDQATL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0603LGDQATL-H
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0603LGDQATL-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0601DGDQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0601DGDQSTL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0603LGDQA#H6
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0603LGDQA#H6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQA#H6
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQA#H6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 0.868ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQSTL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RQJ0602EGDQA#H1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RQJ0602EGDQA#H1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||