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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount silicon rectifier diode S2AAF with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 2.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and operating temperature range from -65 to +150°C.Surface mount silicon rectifier diode S2AAF with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 2.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and operating temperature range from -65 to +150°C.Surface mount silicon rectifier diode S2AAF with 50 to 1000V peak repetitive reverse voltage, 2.0A average rectified output current, low forward voltage drop, and operating temperature range from -65 to +150°C.Surface mount silicon rectifier diode with 2.0 A average rectified current, 50 to 1000 V peak repetitive reverse voltage, low forward voltage drop, and 16°C/W thermal resistance, suited for automated assembly.Surface mount silicon rectifier diode with 2.0 A average rectified current, 50 to 1000 V peak repetitive reverse voltage, low forward voltage drop, and 16°C/W thermal resistance, suited for automated assembly and high-current applications. | S2BAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Case Style : SMAF; IF (A) : 2.0; VRRM (V) : 100; IFSM (A) : 50; VF (V) : 1.2; @IF (A): 2.0; IR (µA) TA=25ºC: 5.0 | S2BAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF3
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF4
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2BAF2G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | S2BAF2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS2BAF6
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | GS2BAF6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS2BAF4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | HS2BAF4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF5
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS2BAF5
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | GS2BAF5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS2BAF3
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | HS2BAF3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS2BAF4
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | HS2BAF4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US2BAF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount ultra-fast rectifier diode with 2.0A average rectified current, 50 to 1000V repetitive reverse voltage, low forward voltage drop, and operating temperature range of -50 to +150°C. | US2BAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RS2BAF4G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | RS2BAF4G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF4
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF
Luguang Electronic Technology Co Ltd
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1 | Fast Recovery Diode, Case Style : SMAF; IAV (A) : 2; VRRM (V) : 100; IFSM (A) : 50; VF (V): 0.95; @IAV (A): 2; IR (µA) TA=25ºC: 5; TRR (nS) : 25 | ES2BAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS2BAF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount silicon rectifier diode with 2.0A average forward current, 50 to 1000V repetitive peak reverse voltage range, low reverse leakage, high surge current capability, and operating junction temperature from -65 to +175°C. | GS2BAF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF3G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES2BAF3
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | ES2BAF3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS2BAF2
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | HS2BAF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS2BAF2
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC | GS2BAF2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||