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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G
Galaxy
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0 | Silicon Epitaxial Planar Transistor | SOT23 (3-Pin) | S8050G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | S8050G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8050G-Y1
Galaxy
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1 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor | SOT23 (3-Pin) | SS8050G-Y1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8050-G
Comchip Technology
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR 1.5A 40V | SOT23 (3-Pin) | SS8050-G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-E-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | S8050G-E-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-E-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | S8050G-E-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-D-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | S8050G-D-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-C-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3 | S8050G-C-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-C-T92-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | S8050G-C-T92-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050G-D-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | S8050G-D-T92-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8050G
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | SS8050G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8050-G(RANGE:120-200)
JCET Group
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1 | NPN transistor in SOT-23 package with 25V collector-emitter voltage, 1.5A collector current, 300mW power dissipation, and DC current gain ranging from 120 to 400, suitable for general-purpose switching and amplification applications. | SS8050-G(RANGE:120-200) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050-G(RANGE:200-350)
JCET Group
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1 | NPN transistor in SOT-23 package with collector current of 500 mA, collector-emitter voltage of 25 V, DC current gain up to 400, and transition frequency of 150 MHz. | S8050-G(RANGE:200-350) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S8050-G(RANGE:120-200)
JCET Group
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1 | NPN transistor in SOT-23 package with collector current of 500 mA, collector-emitter voltage of 25 V, DC current gain up to 400, and transition frequency of 150 MHz.NPN transistor in SOT-23 package with collector current of 500 mA, collector-emitter voltage of 25 V, DC current gain from 120 to 400, and transition frequency of 150 MHz. | S8050-G(RANGE:120-200) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8050-G(RANGE:200-350)
JCET Group
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1 | NPN transistor in SOT-23 package with 25V collector-emitter voltage, 1.5A collector current, 300mW power dissipation, and DC current gain ranging from 120 to 400, suitable for general-purpose switching and amplification applications. | SS8050-G(RANGE:200-350) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TS8050G
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | TS8050G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||