Showing 25 of 6705 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1837(F,M)
Toshiba
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1 | Transistor Silicon PNP Epitaxial Type | Transistor Outline, Vertical | 2SA1837(F,M) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1837
Toshiba
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1 | Trans GP BJT PNP 230V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS | Transistor Outline, Vertical | 2SA1837 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGG8 |
3
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71V35761SA183BG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BG8 |
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71V35761SA183BQG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BQG |
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71V35761SA183BGG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGG |
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71V35761SA183BGGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGGI |
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71V35761SA183BQG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BQG8 |
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71V35761SA183BG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BG |
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71V35761SA183BGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGI |
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2SA1832
Toshiba
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1 | PNP Bipolar Transistor, -50 V, -0.15 A, SOT-416(SSM) | Other | 2SA1832 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1832-GR,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT | SOT23 (3-Pin) | 2SA1832-GR,LF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGI8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGI8 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGGI8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGGI8 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18350E7-3.999-FT&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.999MHz Nom | SA18350E7-3.999-FT&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18330E8-24.000-S
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 24MHz Nom | SA18330E8-24.000-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18315A8-1.700-I
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 1.7MHz Nom | SA18315A8-1.700-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18315C7-30.000-IT&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 30MHz Nom | SA18315C7-30.000-IT&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18330A7-7.999-G
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7.999MHz Nom | SA18330A7-7.999-G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18330A6-2.000-I
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 2MHz Nom | SA18330A6-2.000-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18315A6-3.000-S
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3MHz Nom | SA18315A6-3.000-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18350A6-4.999-GT&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4.999MHz Nom | SA18350A6-4.999-GT&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18330A8-2.000-ST&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 2MHz Nom | SA18330A8-2.000-ST&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18315A8-3.499-GT&R
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.499MHz Nom | SA18315A8-3.499-GT&R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18315E8-3.57945-S
Sunny Electronics Corp
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.57945MHz Nom | SA18315E8-3.57945-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||