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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTW35N65G2VAG
STMicroelectronics
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1 | • AEC-Q101 qualified• Very fast and robust intrinsic body diode• Low capacitanceAutomotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package | Transistor Outline, Vertical | SCTW35N65G2VAG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SCTW35N65G2V
STMicroelectronics
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1 | Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247 package | Other | SCTW35N65G2V |
3
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