Showing 25 of 388 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF-60J
Same Sky
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1 | 6 Pin, Right-Angle Receptacle w/ Front Shield | Other | SDF-60J |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF-6.3-47
Nuvotem Talema
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1 | General Purpose Inductor, 47uH | SDF-6.3-47 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF-60J
CUI Inc
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1 | 6 Contact(s), Female, Board Mount, Solder Terminal, Locking | SDF-60J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF-6.3-63
Nuvotem Talema
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1 | General Purpose Inductor, 63uH | SDF-6.3-63 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF-6.3-100
Nuvotem Talema
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1 | General Purpose Inductor, 100uH | SDF-6.3-100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT18LSDF6472G-133B1
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, DMA168 | MT18LSDF6472G-133B1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABSGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABSGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAXGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAXGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABSGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABSGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HY-13E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464HY-13E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HY-133
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464HY-133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464LHY-133XX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ZMA144 | MT16LSDF6464LHY-133XX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6NA100SXHESN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | SDF6NA100SXHESN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6NA100SXHSOSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6NA100SXHSOSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAASHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAASHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472G-13EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS | MT36LSDF6472G-13EXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABVGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABVGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAXHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABVHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABVHU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABEGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABEGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAASHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAASHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABXGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABEGD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||