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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9220TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.1A, 200V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SFU9220TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9214TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.53A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9214TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9224TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9224TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9214TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.53A, 250V, 4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SFU9214TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9210TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 200V, 3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SFU9210TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9210
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9230BTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.4A, 200V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SFU9230BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9220
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9230B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9230B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9220TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9220TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9214
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.53A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9230BTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9230BTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9214
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.53A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9224TU
Rochester Electronics LLC
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1 | 2.5A, 250V, 2.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 | SFU9224TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9210TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9210TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9220TU-AM002
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9220TU-AM002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9230
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9230
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9234
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9224
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | SFU9224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9210
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9224
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFU9234
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFU9234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||