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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9640TM-SBEA021
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9640TM-SBEA021 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9610TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9610TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9624TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9624TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9614TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9614TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9640
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9634
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9634 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9624
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9624 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9630
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9620
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9620 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9610
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9610 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9630TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9630TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9634TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9634TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9640
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9630
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9640TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9640TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9620
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9620 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9640TM
Rochester Electronics LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor | SFW9640TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9644TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9644TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9614
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9614 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9614
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9614 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9644
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9644 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9634
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9634 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9630TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.5A, 200V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | SFW9630TM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9620TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SFW9620TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SFW9610
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SFW9610 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||