Showing 25 of 124 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N4007SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | 1N4007SGB0 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGB-030-14-090-SMA
Fairview Microwave Inc
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1 | Wide Band Low Power Amplifier | SGB-030-14-090-SMA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGB-07
PMA
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1 | Fixing clamp; ØBundle : 7mm; W: 13mm; steel; Cover material: EPDM | SGB-07 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US-GB0F18-5.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.99MHz Nom | HC49US-GB0F18-5.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SF17SGB0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 500V V(RRM), Silicon | SF17SGB0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US-GB0F18-7.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 7MHz Nom | HC49US-GB0F18-7.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IL3S-GB0F18-10.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 10MHz Nom | IL3S-GB0F18-10.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HER107SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon | HER107SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N4006SGB0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon | 1N4006SGB0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N4006SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon | 1N4006SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US-GB0F18-3.200
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.2MHz Nom | HC49US-GB0F18-3.200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1N4004SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | 1N4004SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MAS9165ASGB06
KEMET Corporation
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1 | Fixed Positive LDO Regulator, 1.2V, PDSO5 | MAS9165ASGB06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US-GB0F18-9.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | HC49US-GB0F18-9.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FR101SGB0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon | FR101SGB0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IL3S-GB0F18-3.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.99MHz Nom | IL3S-GB0F18-3.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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V8274128N24SXSG-B0
Mosel Vitelic Corporation
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1 | DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS | V8274128N24SXSG-B0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FR106SGB0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon | FR106SGB0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US-GB0318-27.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 27MHz Nom | HC49US-GB0318-27.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HER105SGB0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon | HER105SGB0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FR102SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon | FR102SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HER101SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon | HER101SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGB04N60
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | SGB04N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IL3S-GB0F18-9.990
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9.99MHz Nom | IL3S-GB0F18-9.990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FR101SGB0
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon | FR101SGB0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||