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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | Multilayer Chip Protectors, Maximum ESD Clamping Average Voltage=60V, Capacitance=6.8pF | Diodes Chip Non-polarised | SGNE06C270MT6R8G60 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | Multilayer Chip Protectors, Maximum ESD Clamping Average Voltage=25V, Capacitance=15pF | Diodes Chip Non-polarised | SGNE06C080MT150N25 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 | Multilayer Chip Protectors, Maximum ESD Clamping Average Voltage=25V, Capacitance=15pF | Varistors Chip | SGNE04C080MT150N25 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE045MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | SGNE045MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE010MK
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | SGNE010MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE090MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | SGNE090MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE010MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | SGNE010MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE030MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, High Electron Mobility FET | SGNE030MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGNE070MK
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Transistor | SGNE070MK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||