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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP06N60XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP06N60XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP06N60
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP06N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP06N60
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP06N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP.063
Conquer Electronics Co Ltd
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1 | Electric Fuse, Fast Blow, 0.063A, 250VAC, 35A (IR), Through Hole | SGP.063 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSGP06142
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | GSGP06142 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP.060
Conquer Electronics Co Ltd
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1 | Electric Fuse, Fast Blow, 0.06A, 250VAC, 35A (IR), Through Hole | SGP.060 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSGP06140
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | GSGP06140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSGP0656
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | GSGP0656 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GSGP0660
Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | GSGP0660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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