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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP6N60UF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP6N60UFDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFDTU
Rochester Electronics LLC
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP6N60UFDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP6N60UFTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UF
Samsung Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220 | SGP6N60UF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SGP6N60UFJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFDJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | SGP6N60UFDJ69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFD
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | SGP6N60UFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGP6N60UFD
Samsung Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220 | SGP6N60UFD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||