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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS
Vishay
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1 | SI2305DS | SOT23 (3-Pin) | SI2305DS |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | SI2305DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DST1
Vishay Dale
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0 | SI2305DS P-CH MOSFET SOT-23 1.25W | SI2305DST1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1-GE3
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 20-V, 5-A, 0.035-ohm MOSFET in SOT-23 package with 10 nC gate charge, suitable for load switches, PA switches, and DC/DC converters. | SI2305DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI2305DS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | SI2305DS-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SI2305DS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SI2305DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SI2305DS-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI2305DS-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 8V, 0.052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | SI2305DS-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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