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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963BDY-T1-E3
Vishay
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1 | Vishay SI4963BDY-T1-E3 P-channel MOSFET Module, 4.9 A, -20 V, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | SI4963BDY-T1-E3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4966DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963BDY-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 20V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4963BDY-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 20V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4963BDY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4966DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4967DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 12V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4967DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4965DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SI4965DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DYF011
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DYF011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4966DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4967DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 12V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4967DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DYL86Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DYL86Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4965DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4965DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4965DY
Vishay Siliconix
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1 | Transistor | SI4965DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4966DY-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | SI4966DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DYD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DYD84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY
Rochester Electronics LLC
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1 | 6.2A, 20V, 0.033ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | SI4963DY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4963DY
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.033ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4963DY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4966DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 20V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4966DY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4965DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 8V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4965DY-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||