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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1-GE3
Vishay
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1 | VISHAY - SI7370DP-T1-GE3 - MOSFET, N CH, 60V, 9.6A, POWERPAK SO-8 | Other | SI7370DP-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK, SO-8 | SI7370DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7370DP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7370DP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7370DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7374DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7374DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R | SI7370DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DPT1
Vishay Dale
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0 | TRANSPOWER MOSFET N-CHANNEL SINGLE POWERPAK SO-8 VDS = 60V RDS = 0.011 OHMS | SI7370DPT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7370DP-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7370DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R | SI7370DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7374DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7374DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7374DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.8A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7374DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GXO-U110SI7.3728MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | HCMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 7.3728MHz Nom | GXO-U110SI7.3728MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GXO-U110SI7.37280MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | HCMOS/LSTTL Output Clock Oscillator, 7.3728MHz Nom | GXO-U110SI7.37280MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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