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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHB30N60E-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | SIHB30N60E-GE3 |
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SIHB30N60E-E3
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 29 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power | SIHB30N60E-E3 |
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SIHB30N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB30N60E-GE3 |
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SIHB33N60ET5-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB33N60ET5-GE3 |
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SIHB33N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB33N60E-GE3 |
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SIHB33N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB33N60EF-GE3 |
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SIHB35N60EF-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB35N60EF-GE3 |
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SIHB30N60E-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB30N60E-E3 |
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SIHB33N60E-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB33N60E-E3 |
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SIHB33N60ET1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB33N60ET1-GE3 |
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SIHB35N60E-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 600V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SIHB35N60E-GE3 |
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