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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIHK100N65E-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK155N60E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIHK155N60E-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK185N60EF-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Bipolar Transistor | SIHK185N60EF-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK110N65SF-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SIHK110N65SF-T1GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK155N60EF-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | SIHK155N60EF-T1GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK125N60E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Bipolar Transistor | SIHK125N60E-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK185N60E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Bipolar Transistor | SIHK185N60E-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK105N60EF-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Bipolar Transistor | SIHK105N60EF-T1GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIHK125N65E-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK105N60E-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Bipolar Transistor | SIHK105N60E-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIHK125N60EF-T1GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIHK125N60EF-T1GE3 |
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