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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR414DP-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | Other | SIR414DP-T1-GE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR412DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR412DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR418DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR418DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR410DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR410DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR418DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR418DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR416DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR416DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR416DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR416DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR412DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR412DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR410DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 20V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR410DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SIR414DP-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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OSIR4131A
Telcona AG
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1 | Visible LED | OSIR4131A |
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