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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS40DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36.5A I(D), 100V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS40DN-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS4402DN-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS4402DN-T1-UE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS42LDN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 100V, 0.0149ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS42LDN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS42DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40.5A I(D), 100V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS42DN-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS4304DN-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 142.6A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | SISS4304DN-T1-UE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS4410DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SISS4410DN-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS4402DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS4402DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS46DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45.3A I(D), 100V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS46DN-T1-GE3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SISS4409DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59.2A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SISS4409DN-T1-GE3 |
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