Showing 25 of 36 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SJM60R070F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R070F |
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SJM60R180F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R180F |
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SJM60R600F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | SJM60R600F |
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SJM60R380X
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | SJM60R380X |
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SJM60R099U
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247 | SJM60R099U |
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SJM60R099F
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R099F |
0
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SJM60R099B
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SJM60R099B |
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SJM60R600XF
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R600XF |
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SJM60R600B
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor | SJM60R600B |
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SJM60R600XB
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SJM60R600XB |
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SJM60R600XD
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | SJM60R600XD |
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SJM60R600D
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal Semiconductor FET, TO-252AA | SJM60R600D |
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SJM60R280B
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SJM60R280B |
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SJM60R180
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R180 |
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SJM60R180B
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SJM60R180B |
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SJM60R380XF
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | SJM60R380XF |
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SJM60R280XF
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | SJM60R280XF |
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SJM60R380XB
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | SJM60R380XB |
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SJM60R280X
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | SJM60R280X |
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SJM60R180XB
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | SJM60R180XB |
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SJM60R280XB
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-263AB | SJM60R280XB |
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SJM60R099
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R099 |
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SJM60R070U
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SJM60R070U |
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SJM60R180X
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R180X |
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SJM60R180XF
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | SJM60R180XF |
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